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      DLC 薄膜制備技術(shù)的研究開始于七十年代。1971年成功地利用碳離子束沉積出DLC薄膜以來，離子束沉積法是開始用于制備 DLC膜。其后研究者發(fā)現(xiàn)了一系列生成DLC薄膜的辦法。
      大多數(shù)能夠在氣相中沉積的薄膜材料也能在液相中通過電化學(xué)方法合成，反之亦然。給DLC薄膜的制備帶來了新的思路，現(xiàn)在除了常見的化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積(PVD)， 也可以通過液相的電化學(xué)沉積來制備DLC膜。

1.離子束沉積，是指離子源生成的碳離子經(jīng)質(zhì)量分析磁場后單一價態(tài)的碳離子沉積在襯底上形成類金剛石薄膜，可獲得大離子電流、排氣能力強,可排除含氫的所有氣體;

2.濺射沉積，是指利用射頻振蕩或磁場激發(fā)的氫離子轟擊固體石墨靶，形成濺射碳原子(或離子)，從而在基材表面沉積類金剛石薄膜，這種方法的特點是沉積離子的能量范圍寬。主要包括直流濺射、射頻濺射和磁控濺射三種具體形式；

3.陰極弧沉積，是通過點弧裝置引燃電弧，在電源的維持和磁場的推動下，電弧在靶面所經(jīng)之處碳被蒸發(fā)并離化，同時在真空弧和基體之間增加磁過濾信道，通過調(diào)整磁場強度和偏壓等參數(shù)，使得等離子體中的大顆粒中性成分及部分離子在信道中濾掉，從而獲得由單一成分碳離子組成的沉積離子。操作方便、沉積速率較快,但易造成薄膜的污染；

4.脈沖激光沉積，是指脈沖激光束通過聚焦透鏡和石英窗口引入空積腔后，投射在旋轉(zhuǎn)的石墨靶上，在高能量密度的激光作用下形成激光等離子體放電，并且產(chǎn)生的碳離子有1keV量級的能量，在基體上形成sp3鍵的四配位結(jié)構(gòu)，最終形成類金剛石薄膜。沉積速率高，可以獲得高sp3含量的無氫類金剛石薄膜，但耗能高、沉積面積??；

5.直接光化學(xué)氣相沉積，是利用光子促進氣體的分解來沉積類金剛石薄膜。成膜時無高能粒子輻射等問題，基片溫度可降的很低，因而在低溫成膜方面比較有優(yōu)勢；

6.等離子體增強化學(xué)氣相沉積，是指通過低氣壓等離子體放電使氣體碳源分解生成各種含碳的中性或離子基團(如CH3、CH2、CH+、C2等)和原子(或離子)氫(H、H+)，并在基片負偏壓的作用下使含碳基團轟擊、吸附在基片表面，同時原子氫對結(jié)構(gòu)中sp2碳成分產(chǎn)生刻蝕作用,從而形成由sp2和sp3碳混雜結(jié)構(gòu)的氫化類金剛石薄膜。該方法提高了原料氣體的分解率，降低了沉積溫度，而且可以通過改變沉積參數(shù)來獲得所需質(zhì)量的薄膜；

7.電化學(xué)沉積，傳統(tǒng)的電化學(xué)沉積大多是在離子性的水溶液或有導(dǎo)電介質(zhì)的有機溶液中進行，溶液的導(dǎo)電能力很好，因而合成過程中只需施加很小的電壓就能完成反應(yīng)。但電化學(xué)沉積法制備DLC薄膜采用含碳的純凈有機溶液作為電解質(zhì)，這些有機溶劑在一般條件下不會離解成離子，極化程度也很弱。

      因此通常在兩個電極之間施加很高的電壓，即利用強電場使溶液中的C-H、C-O和O-H等鍵發(fā)生斷裂生成碳碎片，從而使含碳的成分以極性基團或離子的形式到達基片，并且在基片所處的高電位下得以活化，進而生成含一定sp3成分的類金剛石薄膜。